Yapay zekâ veri merkezlerine yönelik yatırımların hızla artması, bellek sektöründe büyük bir talep patlamasına yol açtı. Özellikle HBM ve DRAM gibi yüksek bant genişlikli bellek çözümlerine olan yoğun ilgi, üreticileri yeni teknolojiler geliştirmeye zorluyor. Bu süreçte sektörün iki devi Samsung ve SK hynix, farklı üretim stratejileriyle rekabeti bir üst seviyeye taşıyor.

🔬 Samsung: GAAFET Teknolojisini DRAM’e Taşıyor

Sektör kaynaklarına göre Samsung, işlemci üretiminde kullanılan Gate-All-Around FET (GAAFET) mimarisini DRAM tasarımına uyarlamayı değerlendiriyor.

• GAAFET yapısında transistör kapısı, akımın geçtiği kanalı tamamen çevreleyerek kontrolü artırıyor.

• Bu sayede performans ve enerji verimliliği iyileşiyor. Ancak DRAM hücrelerinde kapasitör yapısının da bulunması, Samsung’un önünde ek mühendislik zorlukları yaratıyor. Şirket, NAND flaş belleklerdeki gibi okuma-yazma devrelerini bellek dizisinin altına yerleştirerek daha kompakt bir yapı hedefliyor.

🧩 SK hynix: Dikey İstifleme Mimarisine Odaklanıyor

SK hynix ise 4F² tabanlı dikey istifleme yaklaşımı üzerinde çalışıyor.

• Transistörler yatay yerine dikey konumlandırılıyor.

• Kapı malzemesi transistör yapısını çevreleyerek GAAFET’e benzer bir kontrol sağlıyor. Bu yöntem, daha yüksek yoğunluklu DRAM üretimi için umut verici görülüyor. Özellikle yapay zekâ sunucularının artan bellek kapasitesi ve bant genişliği ihtiyacı, bu mimarileri kritik hale getiriyor.

⚔️ Sektörde Standart Yarışı

Her iki şirketin hedefi yalnızca yeni DRAM üretmek değil; aynı zamanda kendi teknolojik yaklaşımını sektör standardı haline getirmek. Uzmanlara göre başarılı olacak mimari, önümüzdeki yıllarda yapay zekâ odaklı veri merkezleri ve yüksek bant genişlikli bellek çözümlerinde belirleyici rol oynayacak.